Продукція > ONSEMI > NVTFWS003N04XMTAG
NVTFWS003N04XMTAG

NVTFWS003N04XMTAG onsemi

nvtfws003n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4500+26.18 грн
9000+24.66 грн
13500+24.39 грн
22500+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS003N04XMTAG onsemi

Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 98A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 52W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm.

Інші пропозиції NVTFWS003N04XMTAG за ціною від 24.78 грн до 57.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG onsemi nvtfws003n04xm-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+39.31 грн
25+35.47 грн
100+29.23 грн
250+27.31 грн
500+26.15 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG ONSEMI nvtfws003n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG onsemi nvtfws003n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG NVTFWS003N04XMTAG ONSEMI nvtfws003n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG nvtfws003n04xm-d.pdf
NVTFWS003N04XMTAG
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.22 грн
10+39.31 грн
25+35.47 грн
100+29.23 грн
250+27.31 грн
500+26.15 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG nvtfws003n04xm-d.pdf
NVTFWS003N04XMTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG nvtfws003n04xm-d.pdf
NVTFWS003N04XMTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN U8FL PACKAGE
на замовлення 4297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS003N04XMTAG nvtfws003n04xm-d.pdf
NVTFWS003N04XMTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS003N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 98 A, 2850 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2850µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.