Продукція > ONSEMI > NVTFWS007N08HLTAG
NVTFWS007N08HLTAG

NVTFWS007N08HLTAG onsemi

nvtfs007n08hl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+37.17 грн
3000+33.01 грн
4500+31.60 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS007N08HLTAG onsemi

Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA, Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS007N08HLTAG за ціною від 38.80 грн до 133.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS007N08HLTAG NVTFWS007N08HLTAG Виробник : onsemi nvtfs007n08hl-d.pdf Description: 80V T8 IN U8FL HEFET PACK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 8-WDFNW (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.87 грн
10+80.26 грн
25+67.41 грн
100+49.62 грн
250+42.92 грн
500+38.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS007N08HLTAG Виробник : ONSEMI nvtfs007n08hl-d.pdf NVTFWS007N08HLTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.