Продукція > ONSEMI > NVTFWS008N04CTAG
NVTFWS008N04CTAG

NVTFWS008N04CTAG onsemi

NVTFS008N04C_D-2319619.pdf Виробник: onsemi
MOSFET T6 40V SG NCH U8FL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.86 грн
10+96.17 грн
100+64.93 грн
500+55.04 грн
1000+44.86 грн
1500+42.12 грн
3000+40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS008N04CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS008N04CTAG за ціною від 45.02 грн до 144.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS008N04CTAG NVTFWS008N04CTAG Виробник : onsemi nvtfs008n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.74 грн
10+89.25 грн
100+60.35 грн
500+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs008n04c-d.pdf POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
410+76.11 грн
500+68.49 грн
1000+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 410
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAG NVTFWS008N04CTAG Виробник : onsemi nvtfs008n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS008N04CTAG Виробник : ONSEMI nvtfs008n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 48A; Idm: 193A; 12W; WDFNW8
Case: WDFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 12W
Drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 193A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.