NVTFWS010N10MCLTAG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 47.39 грн |
| 3000+ | 42.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFWS010N10MCLTAG onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFWS010N10MCLTAG за ціною від 52.21 грн до 166.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTFWS010N10MCLTAG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
NVTFWS010N10MCLTAG | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NVTFWS010N10MCLTAG | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LL IN |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTFWS010N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 56.83 грн |
| NVTFWS010N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 166.20 грн |
| 10+ | 102.38 грн |
| 100+ | 69.65 грн |
| 500+ | 52.21 грн |
| NVTFWS010N10MCLTAG |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL IN
MOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



