Продукція > ONSEMI > NVTFWS010N10MCLTAG
NVTFWS010N10MCLTAG

NVTFWS010N10MCLTAG onsemi

NVTFS010N10MCL-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+47.36 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS010N10MCLTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS010N10MCLTAG за ціною від 40.78 грн до 168.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS010N10MCLTAG NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs010n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAG NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : onsemi NVTFS010N10MCL-D.PDF MOSFETs PTNG 100V LL IN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.12 грн
10+102.75 грн
100+59.64 грн
500+50.02 грн
1000+46.97 грн
1500+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAG NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : onsemi NVTFS010N10MCL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 11.7A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 57.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 85µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.52 грн
10+104.21 грн
100+70.71 грн
500+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs010n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFN EP Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAG NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs010n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 11.7A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS010N10MCLTAG Виробник : ONSEMI NVTFS010N10MCL-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57.8A; Idm: 232A; 38.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57.8A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 38.9W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.