Продукція > ONSEMI > NVTFWS012P03P8ZTAG
NVTFWS012P03P8ZTAG

NVTFWS012P03P8ZTAG onsemi

nvtfs012p03p8z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+21.89 грн
3000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS012P03P8ZTAG onsemi

Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS012P03P8ZTAG за ціною від 27.85 грн до 95.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS012P03P8ZTAG NVTFWS012P03P8ZTAG Виробник : onsemi nvtfs012p03p8z-d.pdf Description: PT8P PORTFOLIO EXPANSION
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1535 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.20 грн
10+57.88 грн
100+38.15 грн
500+27.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS012P03P8ZTAG Виробник : ONSEMI nvtfs012p03p8z-d.pdf NVTFWS012P03P8ZTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.