Продукція > ONSEMI > NVTFWS014P04M8LTAG
NVTFWS014P04M8LTAG

NVTFWS014P04M8LTAG ONSEMI

2913030.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.62 грн
500+36.37 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS014P04M8LTAG ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS014P04M8LTAG за ціною від 23.40 грн до 98.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.67 грн
10+54.07 грн
100+41.01 грн
500+30.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : onsemi NVTFS014P04M8L-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A
на замовлення 7058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.92 грн
10+60.98 грн
100+37.94 грн
500+30.18 грн
1000+28.04 грн
1500+26.65 грн
3000+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913030.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.53 грн
13+64.13 грн
100+48.62 грн
500+36.37 грн
1000+31.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS014P04M8L_D-1814602.pdf MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : ONN nvtfs014p04m8l-d.pdf
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS014P04M8LTAG NVTFWS014P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs014p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.