NVTFWS014P04M8LTAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 32.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFWS014P04M8LTAG onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTFWS014P04M8LTAG за ціною від 25.56 грн до 100.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 420µA Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1734 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mohm, -49 A |
на замовлення 7633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFNW8 Mounting: SMD Case: WDFNW8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -224A Drain current: -49A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 13.8mΩ Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -49A; Idm: -224A; 30W; WDFNW8 Mounting: SMD Case: WDFNW8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -224A Drain current: -49A Drain-source voltage: -40V Gate charge: 26.5nC On-state resistance: 13.8mΩ Power dissipation: 30W Gate-source voltage: ±20V |
товару немає в наявності |