Продукція > ONSEMI > NVTFWS020N06CTAG
NVTFWS020N06CTAG

NVTFWS020N06CTAG onsemi

NVTFS020N06C-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+40.02 грн
3000+35.72 грн
4500+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS020N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS020N06CTAG за ціною від 41.43 грн до 135.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS020N06CTAG NVTFWS020N06CTAG Виробник : onsemi NVTFS020N06C-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 7A/27A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.02 грн
10+82.62 грн
100+55.69 грн
500+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs020n06c-d.pdf Power MOSFET, Single, N Channel, 8FL, 60 V, 20.3 m, 27 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAG Виробник : ONSEMI NVTFS020N06C-D.PDF NVTFWS020N06CTAG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS020N06C-D-1840370.pdf MOSFET T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS020N06CTAG NVTFWS020N06CTAG Виробник : onsemi NVTFS020N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel, u8FL, 60 V, 20.3 mohm, 27 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.