Продукція > ONSEMI > NVTFWS030N06CTAG
NVTFWS030N06CTAG

NVTFWS030N06CTAG onsemi

nvtfs030n06c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+35.28 грн
3000+31.44 грн
4500+30.15 грн
7500+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS030N06CTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS030N06CTAG за ціною від 27.89 грн до 124.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS030N06CTAG NVTFWS030N06CTAG Виробник : onsemi nvtfs030n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A/19A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.01 грн
10+73.49 грн
100+49.37 грн
500+36.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAG NVTFWS030N06CTAG Виробник : onsemi nvtfs030n06c-d.pdf MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.46 грн
10+78.58 грн
100+44.69 грн
500+34.16 грн
1000+32.21 грн
1500+30.19 грн
3000+27.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS030N06CTAG Виробник : ONSEMI nvtfs030n06c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 19A; Idm: 86A; 11W; WDFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 86A
Power dissipation: 11W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.