Продукція > ONSEMI > NVTFWS052P04M8LTAG
NVTFWS052P04M8LTAG

NVTFWS052P04M8LTAG onsemi

nvtfs052p04m8l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+27.23 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS052P04M8LTAG onsemi

Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS052P04M8LTAG за ціною від 20.54 грн до 69.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS052P04M8LTAG NVTFWS052P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs052p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 95µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.58 грн
10+53.29 грн
100+36.88 грн
500+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAG NVTFWS052P04M8LTAG Виробник : onsemi NVTFS052P04M8L_D-1878456.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single P-Channel, -40V, 69mohm, -13.2A
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.17 грн
10+53.99 грн
100+32.51 грн
500+29.97 грн
1000+26.63 грн
1500+21.48 грн
3000+20.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS052P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs052p04m8l-d.pdf NVTFWS052P04M8LTAG SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.