Продукція > ONSEMI > NVTFWS1D3N04XMTAG
NVTFWS1D3N04XMTAG

NVTFWS1D3N04XMTAG ONSEMI

4591295.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+87.99 грн
500+65.21 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS1D3N04XMTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVTFWS1D3N04XMTAG за ціною від 50.54 грн до 199.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTFWS1D3N04XMTAG NVTFWS1D3N04XMTAG onsemi MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.77 грн
10+122.39 грн
100+72.60 грн
500+58.01 грн
1000+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAG NVTFWS1D3N04XMTAG ONSEMI 4591295.pdf Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.00 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+65.21 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAG
NVTFWS1D3N04XMTAG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+190.77 грн
10+122.39 грн
100+72.60 грн
500+58.01 грн
1000+50.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS1D3N04XMTAG 4591295.pdf
NVTFWS1D3N04XMTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 178A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: WDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.00 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+65.21 грн
1000+55.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.