NVTFWS1D3N04XMTAG ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 62.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFWS1D3N04XMTAG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 178A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: WDFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVTFWS1D3N04XMTAG за ціною від 45.25 грн до 196.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFWS1D3N04XMTAG | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTFWS1D3N04XMTAG | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN U8FL GEN 2 PACKAGE |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFWS1D3N04XMTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS1D3N04XMTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 178 A, 1430 µohm, WDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 178A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: WDFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1430µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTFWS1D3N04XMTAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 178A 8-Pin WDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |