Продукція > ONSEMI > NVTFWS4D9N04XMTAG
NVTFWS4D9N04XMTAG

NVTFWS4D9N04XMTAG onsemi

NVTFWS4D9N04XM-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS4D9N04XMTAG onsemi

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS4D9N04XMTAG за ціною від 23.40 грн до 56.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS4D9N04XMTAG NVTFWS4D9N04XMTAG Виробник : onsemi NVTFWS4D9N04XM-D.PDF Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.26 грн
10+35.78 грн
25+32.18 грн
100+26.46 грн
250+24.67 грн
500+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS4D9N04XMTAG NVTFWS4D9N04XMTAG Виробник : onsemi NVTFWS4D9N04XM-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 66 A, 4.9 mohm
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.81 грн
10+39.67 грн
100+27.10 грн
500+25.14 грн
1500+23.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.