Продукція > ONSEMI > NVTFWS9D6P04M8LTAG
NVTFWS9D6P04M8LTAG

NVTFWS9D6P04M8LTAG onsemi

nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+34.96 грн
3000+33.39 грн
4500+32.22 грн
7500+29.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFWS9D6P04M8LTAG onsemi

Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA, Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTFWS9D6P04M8LTAG за ціною від 31.40 грн до 125.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 580µA
Supplier Device Package: 8-WDFN (3.3x3.3)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2312 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.96 грн
10+74.36 грн
100+50.95 грн
500+39.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single P-Channel Wettable Option
на замовлення 3443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.07 грн
10+81.92 грн
100+48.35 грн
500+41.13 грн
1500+33.30 грн
3000+31.70 грн
9000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 13A Automotive 8-Pin WDFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFWS9D6P04M8LTAG Виробник : ONSEMI nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -64A; Idm: -311A; 38W; WDFNW8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -64A
Pulsed drain current: -311A
Power dissipation: 38W
Case: WDFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.