Продукція > ONSEMI > NVTJD4001NT1G
NVTJD4001NT1G

NVTJD4001NT1G onsemi

ntjd4001n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.00 грн
6000+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTJD4001NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTJD4001NT1G за ціною від 5.42 грн до 39.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G onsemi ntjd4001n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
15+21.47 грн
50+15.56 грн
100+12.78 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G ONSEMI NVTJD4001NT1G.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.57 грн
18+24.79 грн
21+21.14 грн
50+14.69 грн
100+12.65 грн
115+8.41 грн
315+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G onsemi ntjd4001n-d.pdf MOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 917043 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+39.24 грн
18+17.30 грн
100+13.17 грн
500+9.93 грн
3000+7.37 грн
6000+6.70 грн
24000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NVTJD4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.50 грн
15+21.47 грн
50+15.56 грн
100+12.78 грн
500+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1G NVTJD4001NT1G.PDF
NVTJD4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.272W
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.18A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.57 грн
18+24.79 грн
21+21.14 грн
50+14.69 грн
100+12.65 грн
115+8.41 грн
315+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTJD4001NT1G ntjd4001n-d.pdf
NVTJD4001NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET 30V 250MA 1.5OH
на замовлення 917043 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.24 грн
18+17.30 грн
100+13.17 грн
500+9.93 грн
3000+7.37 грн
6000+6.70 грн
24000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.