NVTJD4001NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 465000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.96 грн |
| 6000+ | 4.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTJD4001NT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTJD4001NT1G за ціною від 4.67 грн до 25.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.272W |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 465257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET 30V 250MA 1.5OH |
на замовлення 1207683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Mounting: SMD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.272W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.25A Automotive 6-Pin SC-88 T/R |
товар відсутній |