
NVTJD4001NT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 272mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 5.68 грн |
6000+ | 5.36 грн |
9000+ | 5.25 грн |
15000+ | 4.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTJD4001NT1G onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 272mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTJD4001NT1G за ціною від 5.36 грн до 33.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTJD4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.18A; 0.272W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.18A Power dissipation: 0.272W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2910 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 272mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 10mA, 4V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 245477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTJD4001NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1089719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTJD4001NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |