NVTR01P02LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTR01P02LT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTR01P02LT1G за ціною від 8.10 грн до 53.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTR01P02LT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NVTR01P02LT1G | onsemi |
MOSFETs PFET 20V 0.160R TR |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVTR01P02LT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 2758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTR01P02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.14 грн |
| 15+ | 21.33 грн |
| 100+ | 13.49 грн |
| 500+ | 9.48 грн |
| 1000+ | 8.46 грн |
| NVTR01P02LT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET 20V 0.160R TR
MOSFETs PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 53.28 грн |
| 10+ | 36.14 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 500+ | 12.29 грн |
| 1000+ | 9.15 грн |
| 3000+ | 8.10 грн |
| NVTR01P02LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



