Продукція > ONSEMI > NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G

NVTR01P02LT1G onsemi

ntr1p02lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTR01P02LT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTR01P02LT1G за ціною від 8.89 грн до 47.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTR01P02LT1G NVTR01P02LT1G Виробник : onsemi ntr1p02lt1-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 750mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.00 грн
15+22.43 грн
100+14.18 грн
500+9.97 грн
1000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1G NVTR01P02LT1G Виробник : onsemi NTR1P02LT1_D-1814290.pdf MOSFET PFET 20V 0.160R TR
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.22 грн
11+34.60 грн
100+18.79 грн
500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVTR01P02LT1G Виробник : ON Semiconductor ntr1p02lt1-d.pdf
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.