NVTR0202PLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.07 грн |
| 6000+ | 5.72 грн |
| 9000+ | 5.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTR0202PLT1G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta).
Інші пропозиції NVTR0202PLT1G за ціною від 4.02 грн до 27.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVTR0202PLT1G | onsemi |
MOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH |
на замовлення 29560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVTR0202PLT1G | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 17777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVTR0202PLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH
MOSFETs PFET 20V 0.4A 80MOH
на замовлення 29560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.70 грн |
| 23+ | 14.27 грн |
| 100+ | 6.91 грн |
| 1000+ | 6.13 грн |
| 3000+ | 4.79 грн |
| 9000+ | 4.16 грн |
| 45000+ | 4.02 грн |
| NVTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23
Power Dissipation (Max): 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 17777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.75 грн |
| 17+ | 18.78 грн |
| 100+ | 9.48 грн |
| 500+ | 7.88 грн |
| 1000+ | 6.13 грн |
| NVTR0202PLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



