NVTR4503NT1G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTR4503NT1G за ціною від 4.21 грн до 29.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.73W |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.5A On-state resistance: 0.14Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.73W кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SOT23 30V 2A 0.110R |
на замовлення 188610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTR4503NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NVTR4503NT1G транзистор Код товару: 199485 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |