Продукція > ONSEMI > NVTYS003N03CLTWG
NVTYS003N03CLTWG

NVTYS003N03CLTWG onsemi

nvtys003n03cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+30.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS003N03CLTWG onsemi

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS003N03CLTWG за ціною від 29.19 грн до 73.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTYS003N03CLTWG NVTYS003N03CLTWG Виробник : onsemi nvtys003n03cl-d.pdf Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.48 грн
10+ 57.92 грн
100+ 45.05 грн
500+ 35.84 грн
1000+ 29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVTYS003N03CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvtys003n03cl-d.pdf Power MOSFET, Single, N-Channel
товар відсутній
NVTYS003N03CLTWG Виробник : onsemi NVTYS003N03CL_D-2493630.pdf MOSFET T6 30V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE
товар відсутній