Продукція > ONSEMI > NVTYS003N04CLTWG
NVTYS003N04CLTWG

NVTYS003N04CLTWG onsemi

nvtys003n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS003N04CLTWG onsemi

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS003N04CLTWG за ціною від 35.99 грн до 128.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTYS003N04CLTWG NVTYS003N04CLTWG Виробник : onsemi nvtys003n04cl-d.pdf Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2240 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.30 грн
10+78.80 грн
100+52.93 грн
500+39.28 грн
1000+35.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvtys003n04cl-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWG Виробник : onsemi NVTYS003N04CL-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS003N04CLTWG Виробник : ONSEMI nvtys003n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 106A; Idm: 498A; 34W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 498A
Power dissipation: 34W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.