Продукція > ONSEMI > NVTYS004N03CLTWG
NVTYS004N03CLTWG

NVTYS004N03CLTWG onsemi


nvtys004n03cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.35 грн
10+68.49 грн
100+45.67 грн
500+33.69 грн
1000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS004N03CLTWG onsemi

Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS004N03CLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTYS004N03CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvtys004n03cl-d.pdf Power MOSFET, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWG NVTYS004N03CLTWG Виробник : onsemi nvtys004n03cl-d.pdf Description: T6 30V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 51.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWG Виробник : onsemi NVTYS004N03CL-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS004N03CLTWG Виробник : ONSEMI nvtys004n03cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; Idm: 369A; 1.6W; LFPAK33
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 369A
Power dissipation: 1.6W
Case: LFPAK33
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.