Продукція > ONSEMI > NVTYS010N04CTWG
NVTYS010N04CTWG

NVTYS010N04CTWG onsemi

nvtys010n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+58.26 грн
100+38.56 грн
500+28.25 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS010N04CTWG onsemi

Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVTYS010N04CTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTYS010N04CTWG NVTYS010N04CTWG onsemi nvtys010n04c-d.pdf Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS010N04CTWG onsemi NVTYS010N04C_D-3150645.pdf MOSFETs T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS010N04CTWG nvtys010n04c-d.pdf
NVTYS010N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH SL IN LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS010N04CTWG NVTYS010N04C_D-3150645.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V N-CH SL IN LFPAK33 PACKAGE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.