Продукція > ONSEMI > NVTYS010N06CLTWG

NVTYS010N06CLTWG onsemi

Name: NVTYS010N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 29755776-3
Price: 441.32 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 858 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	110.33 грн
10+	67.04 грн
100+	44.63 грн
500+	32.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVTYS010N06CLTWG onsemi

Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS010N06CLTWG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVTYS010N06CLTWG	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET - Power, Single N-Channel	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVTYS010N06CLTWG	Виробник : onsemi	Description: T6 60V N-CH LL IN LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 35µA Supplier Device Package: 8-LFPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVTYS010N06CLTWG	Виробник : onsemi	MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 60 V, 9.8 mohm, 51 A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVTYS010N06CLTWG	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 217A; 23W; LFPAK33 Mounting: SMD Case: LFPAK33 On-state resistance: 9.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 23W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 217A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Drain current: 51A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.