Продукція > ONSEMI > NVTYS014N08HLTWG
NVTYS014N08HLTWG

NVTYS014N08HLTWG onsemi

nvtys014n08hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS014N08HLTWG onsemi

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції NVTYS014N08HLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTYS014N08HLTWG NVTYS014N08HLTWG onsemi nvtys014n08hl-d.pdf Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS014N08HLTWG NVTYS014N08HLTWG onsemi NVTYS014N08HL-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS014N08HLTWG nvtys014n08hl-d.pdf
NVTYS014N08HLTWG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS014N08HLTWG NVTYS014N08HL-D.PDF
NVTYS014N08HLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.