Продукція > ONSEMI > NVTYS029N08HLTWG
NVTYS029N08HLTWG

NVTYS029N08HLTWG onsemi

nvtys029n08hl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+92.77 грн
10+56.12 грн
100+37.15 грн
500+27.23 грн
1000+24.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS029N08HLTWG onsemi

Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NVTYS029N08HLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVTYS029N08HLTWG NVTYS029N08HLTWG onsemi nvtys029n08hl-d.pdf Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS029N08HLTWG onsemi nvtys029n08hl-d.pdf onsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS029N08HLTWG nvtys029n08hl-d.pdf
NVTYS029N08HLTWG
Виробник: onsemi
Description: T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAG
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS029N08HLTWG nvtys029n08hl-d.pdf
Виробник: onsemi
onsemi T8 80V N-CH LL IN LFPAK33
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.