Продукція > ONSEMI > NVTYS029N08HTWG
NVTYS029N08HTWG

NVTYS029N08HTWG onsemi

nvtys029n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS029N08HTWG onsemi

Description: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS029N08HTWG за ціною від 25.53 грн до 95.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVTYS029N08HTWG NVTYS029N08HTWG Виробник : onsemi nvtys029n08h-d.pdf Description: T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.27 грн
10+57.80 грн
100+38.29 грн
500+28.06 грн
1000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTYS029N08HTWG Виробник : onsemi NVTYS029N08H_D-2493598.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.