на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 38159.73 грн |
| 12+ | 33488.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVVR26A120M1WSB onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE, Packaging: Tube, Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1kW (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA, Supplier Device Package: AHPM15-CDE, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVVR26A120M1WSB за ціною від 62902.46 грн до 62902.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVVR26A120M1WSB | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDEPackaging: Tube Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 1kW (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA Supplier Device Package: AHPM15-CDE Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| NVVR26A120M1WSB | Виробник : ON Semiconductor |
SIC TRACTION MODULES |
товару немає в наявності |