NVVR26A120M1WST onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 61177.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVVR26A120M1WST onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA, Packaging: Tube, Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1kW (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.75µC @ 20V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA, Supplier Device Package: AHPM15-CDA, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVVR26A120M1WST за ціною від 67675.78 грн до 68803.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVVR26A120M1WST | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules SIC A1HPM 1200 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|