NVXK2TR40WXT onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 27A APM32
Packaging: Tube
Package / Case: 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 319W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 35A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: APM32
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4796.84 грн |
| 10+ | 3551.07 грн |
| 100+ | 3509.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVXK2TR40WXT onsemi
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A APM32, Packaging: Tube, Package / Case: 32-PowerDIP Module (1.311", 33.30mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 4 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 319W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 35A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: APM32, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVXK2TR40WXT за ціною від 3923.42 грн до 6041.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVXK2TR40WXT | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| NVXK2TR40WXT | Виробник : ON Semiconductor |
SiC Power MOSFET H-Bridge Power Module |
товару немає в наявності |