| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3476.84 грн |
| 10+ | 2521.74 грн |
| 60+ | 2198.05 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVXK2TR80WDT onsemi
Category: Transistor modules, Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 20A; APM32; THT; Idm: 110A, Type of semiconductor module: MOSFET transistor, Semiconductor structure: transistor/transistor, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 20A, Case: APM32, Topology: MOSFET x2 half-bridge, Electrical mounting: THT, On-state resistance: 0.15Ω, Pulsed drain current: 110A, Power dissipation: 82W, Technology: SiC, Gate-source voltage: -15...25V, Kind of package: tube, Mechanical mounting: screw.
Інші пропозиції NVXK2TR80WDT за ціною від 2826.67 грн до 3725.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVXK2TR80WDT | onsemi |
 MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE |
на замовлення 48 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NVXK2TR80WDT |
|
Виробник: onsemi
MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
MOSFET Modules APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE
на замовлення 48 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3725.85 грн |
| 10+ | 2826.67 грн |