
NVXK2VR40WXT2 onsemi

Description: MOSFET 6N-CH 1200V 55A APM32
Packaging: Tube
Package / Case: 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 319W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 35A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: APM32
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6134.90 грн |
10+ | 4856.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVXK2VR40WXT2 onsemi
Description: MOSFET 6N-CH 1200V 55A APM32, Packaging: Tube, Package / Case: 32-PowerDIP Module (1.449", 36.80mm), Mounting Type: Through Hole, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 319W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1789pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 35A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA, Supplier Device Package: APM32, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVXK2VR40WXT2 за ціною від 4729.70 грн до 6642.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVXK2VR40WXT2 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|