NVXR22S90M2SPC onsemi
Виробник: onsemiMOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC Power Module for Traction Inverter, Single Side Direct Cooling, 2.2mOhm, 900V, 6-Pack
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 196508.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVXR22S90M2SPC onsemi
Description: SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 900W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 900V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35000pF @ 400V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 510A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1800nC @ 18V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 150mA, Supplier Device Package: SSDC39, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVXR22S90M2SPC за ціною від 178501.70 грн до 178501.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVXR22S90M2SPC | Виробник : onsemi |
Description: SIC 900V 6D MOSFET V-SSDC SPC Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 900W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510A (Tj) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 35000pF @ 400V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 510A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1800nC @ 18V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 150mA Supplier Device Package: SSDC39 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|