Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX1029X,115
NX1029X,115

NX1029X,115 Nexperia USA Inc.

NX1029X.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.25 грн
8000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX1029X,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NX1029X,115 за ціною від 4.75 грн до 42.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NX1029X,115 NX1029X,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.15 грн
250+19.88 грн
1000+10.21 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NX1029X,115 Nexperia NX1029X.pdf MOSFETs NX1029X/SOT666/SOT6
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.41 грн
18+17.91 грн
100+9.85 грн
500+7.54 грн
1000+6.70 грн
2000+5.80 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NX1029X,115 Nexperia USA Inc. NX1029X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.85 грн
18+17.78 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+6.99 грн
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NX1029X,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.52 грн
50+26.15 грн
250+19.88 грн
1000+10.21 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX1029X,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.15 грн
250+19.88 грн
1000+10.21 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NX1029X.pdf
NX1029X,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX1029X/SOT666/SOT6
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.41 грн
18+17.91 грн
100+9.85 грн
500+7.54 грн
1000+6.70 грн
2000+5.80 грн
4000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NX1029X.pdf
NX1029X,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA, 170mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+29.85 грн
18+17.78 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+6.99 грн
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029X,115 NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX1029X,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX1029X,115 - Dual-MOSFET, Trench, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+42.52 грн
50+26.15 грн
250+19.88 грн
1000+10.21 грн
2000+8.45 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.