на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12000+ | 4.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX1029XH Nexperia
Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NX1029XH за ціною від 4.55 грн до 35.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX1029XH | Виробник : NEXPERIA |
 N/P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX1029XH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX1029XH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX1029XH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX1029XH | Виробник : Nexperia | MOSFETs NRND for Automotive Applications NX1029X/SOT666/SOT6 |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX1029XH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
NX1029XH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |