Продукція > NEXPERIA > NX1029XH
NX1029XH

NX1029XH Nexperia

nx1029x.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 60V/50V 0.33A/0.17A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+50.52 грн
22+34.52 грн
100+21.68 грн
500+12.98 грн
1000+10.45 грн
2000+8.69 грн
4000+5.38 грн
8000+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX1029XH Nexperia

Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NX1029XH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX1029XH NX1029XH Nexperia MOSFETs NX1029X/SOT666/SOT6
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029XH NX1029XH NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029XH NX1029XH NEXPERIA NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029XH
NX1029XH
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX1029X/SOT666/SOT6
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029XH NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX1029XH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX1029XH NEXP-S-A0003511273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX1029XH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX1029XH - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 330mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.