NX138AKHH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 365mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 365mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.04 грн |
| 1000+ | 3.10 грн |
| 5000+ | 2.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX138AKHH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 365mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 365mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NX138AKHH за ціною від 2.89 грн до 21.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX138AKHH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 365mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138AKHH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
на замовлення 6649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138AKHH | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8001 N-CH 60V .26A |
на замовлення 9745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138AKHH | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NX138AKHH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |