NX138BKMYL

NX138BKMYL Nexperia USA Inc.


NX138BKM.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.31 грн
20000+2.16 грн
30000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX138BKMYL Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NX138BKMYL за ціною від 2.12 грн до 21.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : NEXPERIA 3163640.pdf Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : NEXPERIA 3163640.pdf Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.85 грн
202+4.08 грн
284+2.91 грн
1000+2.55 грн
5000+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX138BKM.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 53185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.94 грн
72+4.28 грн
82+3.76 грн
100+2.97 грн
250+2.69 грн
500+2.53 грн
1000+2.35 грн
2500+2.21 грн
5000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : Nexperia NX138BKM-1919503.pdf MOSFETs NX138BKM/SOT883/XQFN3
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+21.49 грн
24+14.60 грн
100+5.36 грн
1000+3.60 грн
2500+2.86 грн
10000+2.35 грн
20000+2.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.