NX138BKR

NX138BKR Nexperia USA Inc.


NX138BK.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
6000+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX138BKR Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 265mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NX138BKR за ціною від 1.32 грн до 15.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia 4279781758630300nx138bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 33000
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia 4279781758630300nx138bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6250+1.95 грн
Мінімальне замовлення: 6250
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia 4279781758630300nx138bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia 4279781758630300nx138bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.24 грн
1500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia NX138BK.pdf MOSFETs NX138BK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 15011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.36 грн
49+6.92 грн
100+3.08 грн
1000+2.50 грн
3000+1.61 грн
9000+1.39 грн
24000+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia USA Inc. NX138BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 6868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
44+6.96 грн
100+3.09 грн
500+2.64 грн
1000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX138BKR - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 265 mA, 2.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 265mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
55+15.23 грн
88+9.39 грн
228+3.61 грн
500+3.24 грн
1500+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : Nexperia 4279781758630300nx138bk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.265A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A58495A44EFE1820&compId=NX138BK.pdf?ci_sign=1e458a517a4c1cce01922a73ac7ea2503dfa3847 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX138BKR NX138BKR Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A58495A44EFE1820&compId=NX138BK.pdf?ci_sign=1e458a517a4c1cce01922a73ac7ea2503dfa3847 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.17A; 0.31W; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.17A
On-state resistance: 3.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 0.49nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.