NX2301P,215 Nexperia


2119303574846236nx2301p.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3106+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3106 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX2301P,215 Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 6 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NX2301P,215 за ціною від 3.99 грн до 23.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia 2119303574846236nx2301p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia USA Inc. NX2301P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.87 грн
9000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia 2119303574846236nx2301p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 NEXPERIA NX2301P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.27Ω
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.06 грн
37+11.41 грн
52+8.15 грн
100+7.25 грн
500+5.76 грн
1000+5.12 грн
3000+4.36 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia 2119303574846236nx2301p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.36 грн
100+12.10 грн
500+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia 2119303574846236nx2301p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia USA Inc. NX2301P.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.66 грн
50+9.83 грн
100+8.03 грн
500+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 Nexperia NX2301P.pdf MOSFETs NX2301P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 NEXPERIA PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 NEXPERIA PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P,215 NEXPERIA PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NXP NX2301P.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NXP NX2301P.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NXP NX2301P.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 2119303574846236nx2301p.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.87 грн
9000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 2119303574846236nx2301p.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 400mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.4W
Gate charge: 6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±8V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 0.27Ω
на замовлення 7816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+18.06 грн
37+11.41 грн
52+8.15 грн
100+7.25 грн
500+5.76 грн
1000+5.12 грн
3000+4.36 грн
6000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 2119303574846236nx2301p.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+19.36 грн
100+12.10 грн
500+8.95 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 2119303574846236nx2301p.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
731+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.51 грн
23+13.66 грн
50+9.83 грн
100+8.03 грн
500+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX2301P/SOT23/TO-236AB
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 8657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 PHGLS21637-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX2301P,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 750mV
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX2301P,215 NX2301P.pdf
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive 3-Pin TO-236AB NX2301P,215 NX2301P TNX2301p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.