Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3008CBKS,115
NX3008CBKS,115

NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc.

NX3008CBKS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+5.36 грн
6000+4.66 грн
9000+4.40 грн
15000+3.86 грн
21000+3.70 грн
30000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NX3008CBKS,115 за ціною від 3.98 грн до 36.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 NEXPERIA NX3008CBKS.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Gate charge: 0.68/0.72nC
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.82 грн
33+12.86 грн
48+8.83 грн
100+7.06 грн
250+6.30 грн
500+5.88 грн
1000+5.55 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 Nexperia NX3008CBKS.pdf MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.52 грн
22+14.86 грн
100+8.10 грн
500+6.08 грн
1000+5.24 грн
3000+4.47 грн
6000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKS.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.92 грн
21+14.90 грн
100+9.36 грн
500+6.51 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS,115 NEXPERIA NX3008CBKS.pdf Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.99 грн
50+22.73 грн
100+14.34 грн
500+9.91 грн
1500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS.pdf
NX3008CBKS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Gate charge: 0.68/0.72nC
Power dissipation: 0.99W
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
22+20.82 грн
33+12.86 грн
48+8.83 грн
100+7.06 грн
250+6.30 грн
500+5.88 грн
1000+5.55 грн
3000+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS.pdf
NX3008CBKS,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
14+24.52 грн
22+14.86 грн
100+8.10 грн
500+6.08 грн
1000+5.24 грн
3000+4.47 грн
6000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS.pdf
NX3008CBKS,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.92 грн
21+14.90 грн
100+9.36 грн
500+6.51 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKS,115 NX3008CBKS.pdf
NX3008CBKS,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+36.99 грн
50+22.73 грн
100+14.34 грн
500+9.91 грн
1500+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.