NX3008CBKS,115 Nexperia
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.07 грн |
| 9000+ | 6.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008CBKS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NX3008CBKS,115 за ціною від 5.09 грн до 26.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.35A/0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.35/-0.2A Power dissipation: 0.99W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4/4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68/0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 10291 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia |
MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 2578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
NX3008CBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohmtariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2600 шт В кошику од. на суму грн. |
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.35A/0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.35A/0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.10 грн |
| 9000+ | 6.02 грн |
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 0.35/-0.2A; 990mW
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.35/-0.2A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.4/4.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/0.72nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 21.01 грн |
| 33+ | 12.98 грн |
| 48+ | 8.91 грн |
| 100+ | 7.13 грн |
| 250+ | 6.36 грн |
| 500+ | 5.94 грн |
| 1000+ | 5.60 грн |
| 3000+ | 5.09 грн |
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA, 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 26.17 грн |
| 20+ | 15.58 грн |
| 50+ | 11.21 грн |
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
MOSFETs NX3008CBKS/SOT363/SC-88
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008CBKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008CBKS,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







