| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 6.40 грн |
| 8000+ | 6.31 грн |
| 12000+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008CBKV,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NX3008CBKV,115 за ціною від 5.13 грн до 44.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NX3008CBKV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 3223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3008CBKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.22A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NX3008CBKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |