Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3008CBKV,115
NX3008CBKV,115

NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc.

NX3008CBKV.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.40 грн
8000+5.60 грн
12000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NX3008CBKV,115 за ціною від 5.17 грн до 40.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia USA Inc. NX3008CBKV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.64 грн
17+18.23 грн
100+11.48 грн
500+8.04 грн
1000+7.15 грн
2000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 Nexperia NX3008CBKV.pdf MOSFETs NX3008CBKV/SOT666/SOT6
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.26 грн
17+19.43 грн
100+10.68 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
2000+6.35 грн
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003510842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.73 грн
33+24.77 грн
100+15.80 грн
500+10.89 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV.pdf
NX3008CBKV,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+30.64 грн
17+18.23 грн
100+11.48 грн
500+8.04 грн
1000+7.15 грн
2000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKV,115 NX3008CBKV.pdf
NX3008CBKV,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3008CBKV/SOT666/SOT6
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
11+32.26 грн
17+19.43 грн
100+10.68 грн
500+7.96 грн
1000+7.05 грн
2000+6.35 грн
4000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008CBKV,115 NEXP-S-A0003510842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3008CBKV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008CBKV,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+40.73 грн
33+24.77 грн
100+15.80 грн
500+10.89 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.