Продукція > NEXPERIA > NX3008NBK,215
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215 NEXPERIA

NEXP-S-A0003059738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBK,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+8.39 грн
500+5.62 грн
1000+4.55 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3008NBK,215 NEXPERIA

Description: MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NX3008NBK,215 за ціною від 2.44 грн до 23.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NX3008NBK,215 NX3008NBK,215 NEXPERIA NX3008NBK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.39 грн
38+11.09 грн
45+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008NBK,215 NX3008NBK,215 Nexperia NX3008NBK.pdf MOSFETs NX3008NBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 119931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.78 грн
32+10.04 грн
100+5.31 грн
500+3.77 грн
1000+3.28 грн
3000+2.86 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008NBK,215 NX3008NBK,215 NEXPERIA NEXP-S-A0003059738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008NBK,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.62 грн
59+13.85 грн
100+8.39 грн
500+5.62 грн
1000+4.55 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008NBK,215 NX3008NBK.pdf
NX3008NBK,215
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 350mW; SOT23,TO236AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.35W
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
30+15.39 грн
38+11.09 грн
45+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008NBK,215 NX3008NBK.pdf
NX3008NBK,215
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3008NBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 119931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.78 грн
32+10.04 грн
100+5.31 грн
500+3.77 грн
1000+3.28 грн
3000+2.86 грн
6000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008NBK,215 NEXP-S-A0003059738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3008NBK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBK,215 - Leistungs-MOSFET, Trench, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 1.4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
35+23.62 грн
59+13.85 грн
100+8.39 грн
500+5.62 грн
1000+4.55 грн
5000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.