| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.39 грн |
| 20000+ | 4.11 грн |
| 30000+ | 3.98 грн |
| 50000+ | 3.62 грн |
| 70000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008NBKMB,315 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 360mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.
Інші пропозиції NX3008NBKMB,315 за ціною від 3.17 грн до 18.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX3008NBKMB,315 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX3008NBKMB,315 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: DFN1006B-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XFDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 14854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX3008NBKMB,315 | Nexperia |
MOSFETs SOT883 N-CH 30V .53A |
на замовлення 61306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
NX3008NBKMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
NX3008NBKMB,315 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NX3008NBKMB,315 | NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 740575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 4.41 грн |
| 20000+ | 4.13 грн |
| 30000+ | 4.00 грн |
| 50000+ | 3.64 грн |
| 70000+ | 3.28 грн |
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 530MA DFN1006B-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.47 грн |
| 27+ | 11.12 грн |
| 100+ | 5.76 грн |
| 500+ | 4.73 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 2000+ | 3.72 грн |
| 5000+ | 3.17 грн |
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT883 N-CH 30V .53A
MOSFETs SOT883 N-CH 30V .53A
на замовлення 61306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
Description: NEXPERIA - NX3008NBKMB,315 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 360mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKMB,315 |
|
Виробник: NXP Semiconductors
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.53A 3-Pin DFN T/R
на замовлення 740575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8175+ | 4.30 грн |
| 10000+ | 3.83 грн |
| 100000+ | 3.21 грн |