на замовлення 2151000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008NBKS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung Pd: 445mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 445mW, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NX3008NBKS,115 за ціною від 3.22 грн до 33.1 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2151000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 2151000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 909000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.28W Gate charge: 0.68nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.35A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.28W Gate charge: 0.68nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.35A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET NX3008NBKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 1164372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 913314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
NX3008NBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung Pd: 445mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 445mW Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 146280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|