Технічний опис NX3008NBKS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 445mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NX3008NBKS,115 за ціною від 3.51 грн до 24.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 606000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 489000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NX3008NBKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Gate charge: 0.68nC Power dissipation: 0.28W On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±8V Polarisation: unipolar |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 492044 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | Nexperia |
MOSFETs SOT363 2NCH 30V .35A |
на замовлення 762688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 445mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 43866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 445mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 43866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
NX3008NBKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 485 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
NX3008NBKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 445mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 606000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.06 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 485+ | 4.68 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 489000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.32 грн |
| 6000+ | 4.62 грн |
| 9000+ | 4.36 грн |
| 15000+ | 3.83 грн |
| 21000+ | 3.67 грн |
| 30000+ | 3.51 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6330+ | 5.55 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 280mW
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 15.96 грн |
| 39+ | 10.71 грн |
| 47+ | 8.81 грн |
| 100+ | 7.08 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 445mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 492044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 24.63 грн |
| 20+ | 14.82 грн |
| 100+ | 9.29 грн |
| 500+ | 6.47 грн |
| 1000+ | 5.74 грн |
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT363 2NCH 30V .35A
MOSFETs SOT363 2NCH 30V .35A
на замовлення 762688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 43866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKS,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3008NBKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 350mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)