
NX3008NBKT,115 NXP Semiconductors
на замовлення 195103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7557+ | 2.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008NBKT,115 NXP Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NX3008NBKT,115
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NX3008NBKT,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NX3008NBKT,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NX3008NBKT,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |