на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 4.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008NBKV,115 NEXPERIA
Description: MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-666, Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NX3008NBKV,115 за ціною від 3.84 грн до 31.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 0.4A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 31240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : Nexperia | MOSFET NRND for Automotive Applications NX3008NBKV/SOT666/SOT6 |
на замовлення 50433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 330mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 330mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 4025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.33W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NX3008NBKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.4A; 330mW; SOT666 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.4A Power dissipation: 0.33W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.68nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |