NX3008NBKW,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.98 грн |
| 6000+ | 2.57 грн |
| 9000+ | 2.41 грн |
| 15000+ | 2.10 грн |
| 21000+ | 2.00 грн |
| 30000+ | 1.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008NBKW,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX3008NBKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 1.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 260mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NX3008NBKW,115
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX3008NBKW,115 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SC70; SOT323 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.35A Gate charge: 0.68nC Power dissipation: 0.26W On-state resistance: 1.4Ω Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 11816 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3008NBKW,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 59523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NX3008NBKW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008NBKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 1.4 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 74027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NX3008NBKW,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NX3008NBKW,115 | NXP |
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkwкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NX3008NBKW,115 | Nexperia |
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkw |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.26W
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.35A; 260mW; SC70,SOT323
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC70; SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.35A
Gate charge: 0.68nC
Power dissipation: 0.26W
On-state resistance: 1.4Ω
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 11816 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 13.42 грн |
| 37+ | 11.30 грн |
| 100+ | 7.60 грн |
| 500+ | 4.30 грн |
| 600+ | 4.03 грн |
| 1000+ | 3.38 грн |
| 1500+ | 2.98 грн |
| 3000+ | 2.49 грн |
| 9000+ | 2.20 грн |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.76 грн |
| 35+ | 8.75 грн |
| 100+ | 5.41 грн |
| 500+ | 3.71 грн |
| 1000+ | 3.26 грн |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008NBKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 1.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - NX3008NBKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 1.4 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 74027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 21.83 грн |
| 62+ | 13.13 грн |
| 100+ | 8.22 грн |
| 500+ | 5.59 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 5000+ | 3.65 грн |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: NXP
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkw
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkw
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 6.05 грн |
| NX3008NBKW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkw
N-MOSFET 30V 350mA 260mW 1.4Ω NX3008NBKW NXP TNX3008nbkw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)




