Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3008PBK,215
NX3008PBK,215

NX3008PBK,215 Nexperia USA Inc.

NX3008PBK.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.84 грн
6000+2.44 грн
9000+2.29 грн
15000+1.99 грн
21000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3008PBK,215 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NX3008PBK,215 за ціною від 3.11 грн до 20.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.94 грн
500+5.16 грн
1500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Nexperia USA Inc. NX3008PBK.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.73 грн
58+14.14 грн
100+8.94 грн
500+5.16 грн
1500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NX3008PBK,215 Nexperia NX3008PBK.pdf MOSFETs NX3008PBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 259193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3008PBK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+8.94 грн
500+5.16 грн
1500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NX3008PBK.pdf
NX3008PBK,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.11 грн
37+8.38 грн
100+5.17 грн
500+3.54 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NEXP-S-A0002881023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3008PBK,215
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 4.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+20.73 грн
58+14.14 грн
100+8.94 грн
500+5.16 грн
1500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBK,215 NX3008PBK.pdf
NX3008PBK,215
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3008PBK/SOT23/TO-236AB
на замовлення 259193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.