NX3008PBKS,115 Nexperia
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.76 грн |
| 6000+ | 4.12 грн |
| 9000+ | 4.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008PBKS,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 280mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 280mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NX3008PBKS,115 за ціною від 4.25 грн до 35.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3008PBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX3008PBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3008PBKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.8 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NX3008PBKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
NX3008PBKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.2A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| NX3008PBKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
NX3008PBKS.115 SMD P channel transistors |
на замовлення 3706 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|