Продукція > NEXPERIA > NX3008PBKV,115
NX3008PBKV,115

NX3008PBKV,115 Nexperia


nx3008pbkv.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3008PBKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3008PBKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 330mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 330mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX3008PBKV,115 за ціною від 5.15 грн до 31.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : Nexperia nx3008pbkv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. NX3008PBKV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.64 грн
18+18.02 грн
100+11.39 грн
500+7.98 грн
1000+6.59 грн
2000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : Nexperia NX3008PBKV.pdf MOSFETs SOT666 2PCH 30V .22A
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.53 грн
18+19.90 грн
100+10.03 грн
500+8.04 грн
1000+6.81 грн
2000+5.97 грн
4000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105661-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3008PBKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+31.77 грн
40+21.47 грн
100+12.37 грн
500+9.25 грн
1000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : NEXPERIA nx3008pbkv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : Nexperia nx3008pbkv.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.22A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. NX3008PBKV.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX3008PBKV,115 NX3008PBKV,115 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED78081D803D6428259&compId=NX3008PBKV.pdf?ci_sign=9bb1eb21760277b3c7994b74abeedf8fcfda5236 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.22A; 330mW; SOT666
Case: SOT666
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Gate-source voltage: ±8V
Drain current: -0.22A
Gate charge: 0.72nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.1Ω
Power dissipation: 0.33W
Type of transistor: P-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.