
NX3008PBKW,115 Nexperia
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4348+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008PBKW,115 Nexperia
Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NX3008PBKW,115 за ціною від 1.87 грн до 21.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 5655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 19490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 260mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -200mA Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.26W |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.2A; 260mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -200mA Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 4.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.72nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.26W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBKW,115 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |