NX3020NAKS,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3020NAKS,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NX3020NAKS,115 за ціною від 3.08 грн до 34.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NX3020NAKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 161145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 3240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | NEXPERIA |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 375mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 0.72A Gate charge: 0.44nC On-state resistance: 9.2Ω Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 162 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohmtariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 375mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 375mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NX3020NAKS,115 | Nexperia |
MOSFETs NX3020NAKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 37437 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.11 грн |
| 6000+ | 4.54 грн |
| 9000+ | 3.81 грн |
| 15000+ | 3.56 грн |
| 21000+ | 3.25 грн |
| 30000+ | 3.08 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.47 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 161145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3927+ | 9.00 грн |
| 10000+ | 8.04 грн |
| 100000+ | 6.73 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.60 грн |
| 27+ | 11.32 грн |
| 100+ | 7.06 грн |
| 500+ | 4.89 грн |
| 1000+ | 4.32 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 375mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 0.72A
Gate charge: 0.44nC
On-state resistance: 9.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 375mW
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.11A
Pulsed drain current: 0.72A
Gate charge: 0.44nC
On-state resistance: 9.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 22.58 грн |
| 28+ | 15.52 грн |
| 33+ | 12.83 грн |
| 100+ | 9.56 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 34.87 грн |
| 39+ | 21.30 грн |
| 100+ | 13.25 грн |
| 500+ | 8.83 грн |
| 1000+ | 6.23 грн |
| NX3020NAKS,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3020NAKS/SOT363/SC-88
MOSFETs NX3020NAKS/SOT363/SC-88
на замовлення 37437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






