на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3020NAKS,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NX3020NAKS,115 за ціною від 2.79 грн до 31.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 0.72A Power dissipation: 375mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 110mA; Idm: 0.72A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Pulsed drain current: 0.72A Power dissipation: 375mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1915 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 8668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX3020NAKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 49309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKS,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 73690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKS,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKS,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 375mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 375mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|