NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 376000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 5.51 грн |
| 8000+ | 4.82 грн |
| 12000+ | 4.57 грн |
| 20000+ | 4.02 грн |
| 28000+ | 3.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NX3020NAKV,115 за ціною від 3.79 грн до 34.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.12A Power dissipation: 375mW Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.44nC Pulsed drain current: 0.8A |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT666 2NCH 30V .2A |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 375mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 |
на замовлення 378649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.12A Power dissipation: 375mW Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.44nC Pulsed drain current: 0.8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 864 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX3020NAKV,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm Verlustleistung, p-Kanal: 375mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 375mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKV,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R |
товару немає в наявності |