Продукція > NEXPERIA > NX3020NAKV,115
NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115 Nexperia

nx3020nakv.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3020NAKV,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NX3020NAKV,115 за ціною від 4.17 грн до 39.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.03 грн
20000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.05 грн
20000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 231598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.18 грн
8000+5.41 грн
12000+5.13 грн
20000+4.52 грн
28000+4.34 грн
40000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 231598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.66 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.92 грн
2000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 NEXPERIA NX3020NAKV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 375mW
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.80 грн
20+21.39 грн
25+17.53 грн
100+12.92 грн
250+10.32 грн
500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.59 грн
31+26.42 грн
100+16.99 грн
500+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia NX3020NAKV.pdf MOSFETs NX3020NAKV/SOT666/SOT6
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 nx3020nakv.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+5.03 грн
20000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 nx3020nakv.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+5.05 грн
20000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 231598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+6.18 грн
8000+5.41 грн
12000+5.13 грн
20000+4.52 грн
28000+4.34 грн
40000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 231598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
18+17.66 грн
100+11.12 грн
500+7.78 грн
1000+6.92 грн
2000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 120mA; Idm: 0.8A; 375mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 375mW
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.80 грн
20+21.39 грн
25+17.53 грн
100+12.92 грн
250+10.32 грн
500+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NX3020NAKV,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 4.5 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+39.59 грн
31+26.42 грн
100+16.99 грн
500+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs NX3020NAKV/SOT666/SOT6
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 nx3020nakv.pdf
NX3020NAKV,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.