NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.


NX3020NAKV.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 324000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.02 грн
8000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX3020NAKV,115 за ціною від 3.92 грн до 40.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1477+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 1477
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
984+9.28 грн
1000+6.70 грн
3000+6.21 грн
6000+5.11 грн
15000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 984
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia NX3020NAKV.pdf MOSFETs SOT666 2NCH 30V .2A
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+33.62 грн
19+20.11 грн
100+7.98 грн
500+7.19 грн
1000+6.07 грн
2000+5.35 грн
4000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+36.00 грн
41+21.85 грн
100+9.94 грн
500+8.40 грн
1000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 325928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.86 грн
15+22.95 грн
50+16.50 грн
100+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NX3020NAKV.pdf NX3020NAKV.115 Multi channel transistors
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.41 грн
166+7.19 грн
457+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.