Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3020NAKV,115
NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.

NX3020NAKV.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 376000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.37 грн
8000+4.69 грн
12000+4.45 грн
20000+3.92 грн
28000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2, Verlustleistung, p-Kanal: 375, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.7, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NX3020NAKV,115 за ціною від 3.24 грн до 32.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
984+7.67 грн
1000+5.54 грн
3000+5.14 грн
6000+4.22 грн
15000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 984
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1477+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 1477
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia NX3020NAKV.pdf MOSFETs NRND for Automotive Applications NX3020NAKV/SOT666/SOT6
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.46 грн
21+16.16 грн
100+7.36 грн
1000+5.81 грн
4000+5.37 грн
8000+4.41 грн
24000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 378649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
18+18.01 грн
100+7.93 грн
500+6.99 грн
1000+5.96 грн
2000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7
Verlustleistung Pd: 375
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
Verlustleistung, p-Kanal: 375
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.7
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.60 грн
34+24.43 грн
100+15.19 грн
500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NX3020NAKV.pdf NX3020NAKV.115 Multi channel transistors
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.68 грн
174+6.20 грн
478+5.86 грн
100000+5.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.