Продукція > NEXPERIA USA INC. > NX3020NAKV,115
NX3020NAKV,115

NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.

NX3020NAKV.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 376000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.52 грн
8000+4.82 грн
12000+4.58 грн
20000+4.03 грн
28000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX3020NAKV,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 375mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-666, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 375mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX3020NAKV,115 за ціною від 3.71 грн до 34.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1477+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 1477
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
984+8.79 грн
1000+6.34 грн
3000+5.88 грн
6000+4.84 грн
15000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 984
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia NX3020NAKV.pdf MOSFETs SOT666 2NCH 30V .2A
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.85 грн
19+19.04 грн
100+7.56 грн
500+6.81 грн
1000+5.75 грн
2000+5.07 грн
4000+4.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia USA Inc. NX3020NAKV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 375mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
на замовлення 378649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.90 грн
18+18.51 грн
100+8.15 грн
500+7.18 грн
1000+6.12 грн
2000+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003060248-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX3020NAKV,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 200 mA, 200 mA, 2.7 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.7ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 375mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.7ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 375mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+34.10 грн
41+20.70 грн
100+9.42 грн
500+7.96 грн
1000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 Виробник : NEXPERIA NX3020NAKV.pdf NX3020NAKV.115 Multi channel transistors
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.59 грн
174+6.37 грн
478+6.03 грн
100000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX3020NAKV,115 NX3020NAKV,115 Виробник : Nexperia nx3020nakv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.2A 6-Pin SOT-666 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.